| 摘要 |
<p>임계 전압이 제어되고, 동작 속도가 빠르며, 제조 공정이 비교적 용이하고, 충분한 신뢰성을 갖는 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공하는 것이 목적이다. 산화물 반도체층에 포함되는 캐리어 농도에 영향을 주는 불순물, 예를 들어, 수소 원자나, HO 등 수소 원자를 포함하는 화합물을 제거할 수 있다. 산화물 반도체층에 접하고 불포화 결합 등의 결함을 많이 포함한 산화물 절연층을 형성하고, 그 불순물을 산화물 절연층 내에 확산시키고 상기 산화물 반도체층의 불순물 농도를 저감시킨다. 산화물 반도체층 또는 산화물 반도체층에 접하는 산화물 절연층을 크라이오펌프를 이용한 배기에 의해 불순물 농도를 저감시킨 성막 챔버에서 형성할 수 있다.</p> |
