| 摘要 |
目的在于提供一种半导体检查装置用接触探测针，其是在探测针与焊料接触时，防止作为焊料主要成分的锡黏着在探测针的接触部，而将抗锡黏着性优异的非晶质碳系导电性皮膜形成于基材表面而成的半导体检查装置用接触探测针。一种在导电性基材表面形成非晶质碳系导电性皮膜而成的半导体检查装置用接触探测针，其特征为：上述非晶质碳系导电性皮膜具有如下外表面：在原子力显微镜下4μm2的扫描范围中，表面粗糙度(Ra)为6.0nm以下，平方根斜率(R△q)为0.28以下，表面形态的凸部的前端曲率半径的平均值(R)为180nm以上。 |
