包括具有重叠掺杂区的肖特基二极管的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，包括：具有第一导电类型的且具有半导体器件的有源区被界定于其中的表面的半导体层，以及在有源区内的多个被间隔开的掺杂区。该多个掺杂区具有与第一导电类型相反的第二导电类型，并且在有源区内界定半导体层的多个裸露部分。该多个掺杂区包括沿纵向延伸的多个行。每个行都包括多个纵向延伸区段，并且在第一行中的纵向延伸区段在与纵向垂直的横向上与在相邻行中的纵向延伸区段至少部分地重叠。

主权项

一种半导体器件，包括：具有第一导电类型且具有所述半导体器件的有源区被界定于其中的表面的半导体层；在所述有源区内的多个被间隔开的掺杂区，所述多个掺杂区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型并且将所述半导体层的多个裸露部分界定于所述有源区内；其中所述多个掺杂区包括沿纵向延伸的多个行，所述行每个都包括多个纵向延伸区段；并且其中在第一行中的所述纵向延伸区段在与所述纵向垂直的横向上与在相邻行中的所述纵向延伸区段至少部分地重叠。