| 发明名称 | LED外延片、其制作方法及包括其的LED芯片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LED外延片、其制作方法及包括其的LED芯片。该LED外延片包括：由衬底表面向外依次设置的GaN缓冲层、第一U型GaN层、第一N型GaN层、量子阱层以及第一P型GaN层；还包括设置在第一P型GaN层上的隧道结层。该LED外延片的制作方法包括以下步骤：在衬底表面向外依次形成GaN缓冲层、第一U型GaN层、第一N型GaN层、量子阱层和第一P型GaN层；在第一P型GaN层上形成隧道结层。采用本发明提供的LED外延片的制作方法所得到LED的驱动电压得到降低，亮度和光效得到提升。 | ||
| 申请公布号 | CN103441195A | 申请公布日期 | 2013.12.11 |
| 申请号 | CN201310388491.7 | 申请日期 | 2013.08.30 |
| 申请人 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发明人 | 张宇 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
| 主权项 | 一种LED外延片，包括由衬底（201）表面向外依次设置的GaN缓冲层（202）、第一U型GaN层（203）、第一N型GaN层（204）、量子阱层（205）以及第一P型GaN层（206），其特征在于，还包括设置在所述第一P型GaN层（206）上的隧道结层（207）。 | ||
| 地址 | 423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园 | ||