发明名称 Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
摘要 Ein Halbleiterbauelement enthält ein Substrat mit einer Oberseite. Ein Halbleiterschaltkreis definiert einen Schaltkreisbereich auf der Oberseite des Substrats. Eine Interconnect-Verbindung ist von dem Schaltkreisbereich beabstandet und erstreckt sich von der Oberseite in das Substrat hinein. Die Interconnect-Verbindung enthält eine Seitenwand, die aus einem elektrisch isolierenden Material besteht. In der Seitenwand ist eine Öffnung ausgebildet.
申请公布号 DE102013105635(A1) 申请公布日期 2013.12.05
申请号 DE201310105635 申请日期 2013.05.31
申请人 INTEL MOBILE COMMUNICATIONS GMBH 发明人 BARTH, HANS-JOACHIM
分类号 H01L23/52;H01L21/76;H01L21/768 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人
主权项
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