| 发明名称 | 包括超结结构的半导体器件和制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括超结结构的半导体器件和制作方法。一种半导体器件包括半导体主体，其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。位于半导体主体中的超结结构包括在平行于第一表面的第一方向中交替地布置的第一导电类型的漂移区域和补偿结构。每个电荷补偿结构包括：与第一导电类型互补的第二导电类型的第一半导体区域，以及包括毗邻第一半导体区域的第二导电类型的第二半导体区域的第一沟槽。第一半导体区域和第一沟槽在垂直于第一表面的第二方向上一个接一个地布置。 | ||
| 申请公布号 | CN103426912A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201310183710.8 | 申请日期 | 2013.05.17 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | F.希尔勒;U.瓦尔;H.韦伯 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;李浩 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体主体，其包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面；位于该半导体主体中的超结结构，其中该超结结构包括在平行于第一表面的第一方向中交替地布置的第一导电类型的漂移区域和补偿结构；其中每个电荷补偿结构包括：与第一导电类型互补的第二导电类型的第一半导体区域，以及包括毗邻第一半导体区域的第二导电类型的第二半导体区域的第一沟槽；以及第一半导体区域和第一沟槽在垂直于第一表面的第二方向上一个接一个地布置。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||