| 摘要 |
本发明之面发光雷射元件(1)的制造方法之特征为包含：准备作为导电性氮化镓(GaN)基板(10)之导电性氮化镓复区域基板之步骤，该基板包含：高差排密度高导电区域(10a)、低差排密度高导电区域(10b)及低差排密度低导电区域(10c)；半导体层积层体形成步骤，其系在其基板上形成包含发光层(200)之III-V族化合物半导体层积层体(20)；及电极形成步骤，其系形成半导体层侧电极(15)及基板侧电极(11)；在发光层(200)中，以载子流入之发光区域(200a)位于低差排密度高导电区域(10b)内之上方的方式，形成半导体层及电极。藉此，良率佳地获得在发光区域之发光均一的面发光雷射元件。 |
