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Verfahren zur Vereinzelung von Wafern (2) eines Ingots (1), wobei der Ingot (1) mittels einer Klebeschicht (3) mit einer Tragplatte (4) verbunden ist und die einzelnen Wafer (2) durch senkrecht zur Längsrichtung des Ingots (1) bis zur Tragplatte (4) oder in die Tragplatte (4) hinein verlaufenden Schnitten realisiert sind, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Wafer (2) mit der Tragplatte (4) verbunden sind und zur Vereinzelung des jeweiligen Wafers (2) von der Tragplatte (4) die Klebeschicht (3) zwischen Wafer (2) und Tragplatte (4) durch einen gerichteten Energieeintrag deaktiviert wird und der Energieeintrag durch einen Laser, welcher das Material des Wafers (2) und/oder der Tragplatte (4) nicht beeinträchtigt, erfolgt.
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