发明名称 |
硅基半导体超短脉冲激光器 |
摘要 |
一种硅基半导体超短脉冲激光器,包括:一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层;其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上;所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构;其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽,该沟槽中填充有二氧化硅材料,该沟槽的一侧为半导体放大器,另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底,无法和硅基微电子集成的问题。 |
申请公布号 |
CN103414106A |
申请公布日期 |
2013.11.27 |
申请号 |
CN201310357340.5 |
申请日期 |
2013.08.16 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
丁颖;倪海桥;李密锋;喻颖;查国伟;徐建新;王莉娟;牛智川 |
分类号 |
H01S5/343(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/343(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种硅基半导体超短脉冲激光器,包括:一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层;其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上;所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构;其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽,该沟槽中填充有二氧化硅材料,该沟槽的一侧为半导体放大器,另一侧为可饱和吸收体结构。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |