发明名称 |
一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法 |
摘要 |
一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法,属于纳米材料的制备技术领域。其特征在于:将摩尔比为1:0.01~1:0.1的硝酸锌和硝酸镓溶于去离子水中,PH值控制在9~11范围内,接着将混合液进行30min超声处理得到反应前驱液。将FTO导电玻璃基底经丙酮,无水乙醇,异丙醇和去离子水超声清洗干净后,进行干燥处理。然后将处理好的玻璃基片置于之前配制好的反应前驱液中,密封后保温处理,最后取出玻璃片用去离子水冲洗干燥得附有掺杂ZnO纳米材料的玻璃片。本发明合成方法反应温度低,设备简单,成本低,同时所制得的产物表面蓬松多孔,孔隙率大,电导率高,适合于在染料敏化太阳能电池等器件上的应用。 |
申请公布号 |
CN102509648B |
申请公布日期 |
2013.11.27 |
申请号 |
CN201110324879.1 |
申请日期 |
2011.10.24 |
申请人 |
北京科技大学 |
发明人 |
顾有松;邱英;秦子;张跃 |
分类号 |
H01G9/20(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01G9/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 |
代理人 |
刘淑芬 |
主权项 |
一种Ga掺杂ZnO纳米材料的制备方法,其制备工艺为:将一定摩尔比的六水合硝酸锌和硝酸镓溶于去离子水中,进行超声波处理得澄清透明溶液,然后加入乙二胺和氢氧化钠调整溶液的PH值经超声波处理得乳白色反应前驱液; 其中,六水合硝酸锌与硝酸镓的摩尔比为1:0.01~1:0.1,乙二胺与去离子水的体积比为1:30,在溶液中添加氢氧化钠使反应前驱液的PH在9~11的范围内变化;混合好的反应前驱液需要经过30min~1h的超声波处理;将FTO导电玻璃片作为生长基底,依次经过丙酮,无水乙醇,异丙醇和去离子水进行多次清洗直到玻璃表面无明显灰尘,最后将其烘干备用,将上述处理好的玻璃基片放入第一步配置好的反应前驱液中,密封加温反应;反应温度为90~110℃,反应时间为22~32小时;反应结束后,将玻璃片取出,用去离子水反复冲洗后烘干即可看到玻璃基片上形成了均匀疏松的白色薄膜,此白色薄膜即为所制得的Ga掺杂ZnO纳米材料。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号 |