| 发明名称 | 具有抗PID效应镀膜的晶体硅电池片 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种光伏太阳能电池片结构，具体是一种具有抗PID效应镀膜的晶体硅电池片。该电池片由Si衬底层、沉积在Si衬底层上的折射率较高的下层SiNx薄膜、沉积在下层SiNx薄膜上的折射率较低的上层SiNx薄膜、沉积在上层SiNx薄膜上的SiO2薄膜组成。本实用新型通过在电池片表面沉积SiNx/SiNx/SiO2三层镀膜替代传统结构的SiNx双层膜，可有效消除PID效应，提高晶体硅电池片的转化效率。 | ||
| 申请公布号 | CN203312325U | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN201320292810.X | 申请日期 | 2013.05.27 |
| 申请人 | 镇江大全太阳能有限公司 | 发明人 | 张良;姚剑;李良 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人 | 夏哲华 |
| 主权项 | 一种具有抗PID效应镀膜的晶体硅电池片，其特征是：它由Si衬底层、沉积在Si衬底层上的下层SiNx薄膜、沉积在下层SiNx薄膜上的上层SiNx薄膜、沉积在上层SiNx薄膜上的SiO2薄膜组成。 | ||
| 地址 | 212211 江苏省镇江市扬中市新坝镇新中南路66号 | ||