半导体基板、半导体装置以及半导体基板的制造方法

摘要

提供一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于基底基板之上，具有到达硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从开口露出的硅结晶面之上，由SixGe1-x(0≤x＜1)构成；第二结晶层，其位于第一结晶层之上，由禁带宽度比第一结晶层大的III-V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于抑制体以及第二结晶层之上，一对金属层中的每一个金属层与第一结晶层以及第二结晶层分别接触。

主权项

一种半导体基板，该半导体基板具有：基底基板，其表面的全部或一部分是硅结晶面；抑制体，其位于上述基底基板之上，具有到达上述硅结晶面的开口，抑制结晶的生长；第一结晶层，其位于从上述开口露出的上述硅结晶面之上，由SixGe1‑x构成，其中，0≤x＜1；第二结晶层，其位于上述第一结晶层之上，由禁带宽度比上述第一结晶层大的III‑V族化合物半导体构成；以及一对金属层，其位于上述抑制体以及上述第二结晶层之上，上述一对金属层中的每一个金属层与上述第一结晶层以及上述第二结晶层分别接触。