| 发明名称 | 选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、钝化层和保护层；缓冲层采用GaN，该缓冲层上设有按周期性间隔排列的势垒层条和掩蔽层条；势垒层条上的两端分别为源极和漏极；钝化层位于势垒层条和掩蔽层条上，该钝化层上开有栅槽，栅槽中设有栅极；势垒层条采用AlGaN，每条势垒层条的宽度为纳米量级，以形成一维电子气。本发明与Si基和GaAs基一维电子气器件相比，由于采用材料特性突出的宽禁带半导体GaN，故具有很好的高温高压特性、频率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一维电子气器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103400856A | 申请公布日期 | 2013.11.20 |
| 申请号 | CN201310280177.7 | 申请日期 | 2013.07.04 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 马晓华;郝跃;汤国平;陈伟伟;赵胜雷 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 主权项 | 一种选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件，其结构自下而上包括衬底（1）、缓冲层（2）、钝化层（8）和保护层（9），其特征在于：所述的缓冲层（2）采用GaN半导体材料，该缓冲层（2）上设有按周期性间隔排列的势垒层条（3）和掩蔽层条（4）；势垒层条（3）上的两端分别为源极（6）和漏极（7）；钝化层（8）位于势垒层条（3）和掩蔽层条（4）上，该钝化层（8）上开有栅槽，栅槽中设有栅极（5）；所述的势垒层条（3），采用AlGaN半导体材料，每条势垒层条（3）的宽度为纳米量级，以形成一维电子气。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||