一种具有无源金属PN结半导体装置及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有无源金属PN结半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，漂移区的耗尽层在整个无源金属区界面扩展，并且在无源金属区间发生交叠，从而提高器件的反向击穿电压，也可以降低器件的导通电阻；本发明还提供了一种具有无源金属PN结半导体装置的制备方法。

主权项

一种具有无源金属PN结半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；无源金属区，为条状金属或者金属与半导体材料的化合物，位于漂移层中，垂直衬底层方向与第一导电半导体材料交替排列构成，并且其上表面临靠绝缘材料或者第一导电半导体材料；第二导电半导体材料区，位于漂移层上表面，为第二导电半导体材料，并且与无源金属区不相连。