在半导体器件芯片玻璃钝化膜上划切的装置的使用方法

摘要

本发明公开了在半导体器件芯片玻璃钝化膜上划切的装置，其特征是：包括激光器、光路传输通道、扩束装置、偏转装置、光学聚焦装置、吹气排气装置、玻璃钝化膜以及操作平台，激光器与光路传输通道相连，光学聚焦装置设于紫光激光束的两侧，吹气排气装置设于紫光激光束的一侧。本发明还公开了上述划切装置的使用方法，包括如下步骤：调节晶体温度值、调节光路传输通道的水平偏光镜、调节和固定扩束装置的位置、调节偏转装置、安装并调节光学聚焦装置、调节并测试操作平台的水平角度、调节激光器工作Q频和电频脉宽、选择合适大小的电流和划切速度、产品检验。本发明的优点是：划切速度快，消耗成本低，维护费用低、产能高、硅片面积利用率高。

主权项

在半导体器件芯片玻璃钝化膜上划切的装置的使用方法，其特征是：包括如下步骤：a、首先调节晶体温度值每次微调0.1℃，并用功率测量器测量功率值，找到适合晶体正常工作的晶体温度值为24—26℃，同时确保工作环境的温湿度稳定，保证激光器正常稳定工作；b、调节光路传输通道的水平偏光镜,保证紫光激光束从激光器发射孔至扩束装置入口处是水平的；c、调节和固定扩束装置位置，确保紫光激光束沿扩束装置的中心轴线通过；d、调节偏转装置，使其与操作平台水平面夹角成45°，确保紫光激光束经偏转装置后垂直向下；    e、安装并调节光学聚焦装置，保证紫光激光束沿光学聚焦装置的中心轴线经过，并不发生激光束角度偏转和激光束衍射；f、调节并测试操作平台的水平角度，保证激光束经光学聚焦装置后垂直照射于操作平台；g、控制紫光激光束波长为355nm，在20—70KHZ范围内调节激光器工作Q频、在1—10μS范围内调节激光器低电平脉宽、在6—12倍范围内调节扩束装置发散倍数，调节聚焦装置以满足不同划切对象的划切需要，确保激光束焦点在玻璃钝化膜表面上下50μm之间；h、根据玻璃钝化膜的不同特性、半导体器件芯片的不同厚度、划切线宽度、裂片难易程度，在20‑35A间选择合适大小的电流、在30‑100mm/S范围内选择合适的划切速度、在30%‑90%之间选择合适的激光功率；i、激光系统调整后或更换晶片批次时应对划出的产品实施首检，用高倍显微镜检验划痕的表面情况，划痕呈现平直，划痕两侧无玻璃裂纹为合格，用高倍显微镜检查划切深度，划切深度是在硅表面以下0‑100μm为合格，若上述两项检验项中有一项不合格，则需要重新调整激光系统参数，直至符合上述两项要求为止；j、检验合格后，将已划切硅片的未划切面贴在蓝膜上，同时用刮板在蓝膜上方对准硅片刮过，使硅片粘于蓝膜上面，将蜡光纸有蜡的一面朝上放置到橡皮裂片台上，再将已贴蓝膜的硅片蓝膜向上放置到腊光纸上；选用直径与硅片大小相适配的软橡胶辊，用合适的力度沿芯片的正方向即垂直于硅片主参考面的方向拿胶辊碾压硅片，压完一个方向后，将硅片和胶辊上的胶皮旋转90度，再碾压硅片的另一个方向即平行于硅片主参考面的方向，以所有芯片都已解体的最小力道为度；裂片后，显微镜下检验裂片情况：芯片与芯片之间完全分离，芯片边沿平直、芯片边沿无碎裂为合格。