使用二层型抗反射膜之光阻图型之形成方法

摘要

本发明提供一种在半导体装置制造之微影制程中，使用能以光阻用显像液显像之抗反射膜，形成光阻及抗反射膜同为矩形之图型的方法。;一种光阻图型之形成方法，其特征为包含：形成可溶于光阻用显像液之第一抗反射膜之步骤，在该第一抗反射膜上，形成可溶于光阻用显像液，相对于光阻用显像液，溶解速度比该第一抗反射膜小之第二抗反射膜之步骤，在该第二抗反射膜之上，形成光阻之步骤，使被该第一抗反射膜、该第二抗反射膜及该光阻被覆之半导体基板曝光之步骤，及藉由光阻用显像液进行显像之步骤。