半导体装置及其制造方法

摘要

在制造半导体装置之方法中，准备具备基板、平面状半导体层、及柱状半导体层之构造体，且于柱状半导体层上部形成第2汲极/源极区域、形成接触窗挡止膜、及形成接触窗层间膜，又于第2汲极/源极区域上形成接触窗。接触窗之形成系包含：形成接触窗层之图案，且使用接触窗层之图案将接触窗层间膜蚀刻至接触窗挡止膜，藉此形成接触窗层用之接触窗孔，且藉由蚀刻将残存于接触窗层用之接触窗孔之底部之接触窗挡止膜予以去除之步骤；接触窗用之接触窗孔之底面对于基板之投影面，系位于形成于柱状半导体层上面及侧面之接触窗挡止膜对于基板之投影形状之外周内。