| 发明名称 | 竖直功率部件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的深度的大深度的多孔硅绝缘环。 | ||
| 申请公布号 | CN203277390U | 申请公布日期 | 2013.11.06 |
| 申请号 | CN201320314847.8 | 申请日期 | 2013.05.29 |
| 申请人 | 意法半导体(图尔)公司;法国国立图尔大学 | 发明人 | S·梅纳德;G·高蒂尔 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/74(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种竖直功率部件，其特征在于，包括：第一传导类型的硅衬底；在所述衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在所述衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中所述部件外围包括：在所述下表面侧上，穿入所述衬底向下至比所述下层的深度大的深度的多孔硅绝缘环。 | ||
| 地址 | 法国图尔 | ||