发明名称 |
高导热系数的致冷芯片及其制法与产品 |
摘要 |
本发明提供一种高导热系数的致冷芯片及其制法与产品,致冷芯片包括第一氮化铝层及第二氮化铝层、分别披覆在第一氮化铝层、第二氮化铝层上的第一金属薄膜及第二金属薄膜、分别形成在第一金属薄膜、第二金属薄膜上的第一铜箔层及第二铜箔层、以及固定在该第一铜箔层及该第二铜箔层之间、多数个交互排列的P型半导体及多数个N型半导体,借此提供高导热系数的致冷芯片;另外,本发明还提供高导热系数致冷芯片的制法与产品。 |
申请公布号 |
CN103375938A |
申请公布日期 |
2013.10.30 |
申请号 |
CN201210120972.5 |
申请日期 |
2012.04.23 |
申请人 |
林义民 |
发明人 |
林义民 |
分类号 |
F25B21/02(2006.01)I;H01L35/30(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
主分类号 |
F25B21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 |
代理人 |
武晨燕;张颖玲 |
主权项 |
一种具有高导热系数的致冷芯片的冷热交换装置,其特征在于,该交换装置包括:具有冷端面及热端面的致冷芯片,包括:第一氮化铝层及第二氮化铝层;第一金属薄膜及第二金属薄膜,该第一金属薄膜披覆在该第一氮化铝层上,该第二金属薄膜披覆在该第二氮化铝层上;第一铜箔层及第二铜箔层,该第一铜箔层形成在该第一金属薄膜上,该第二铜箔层形成在该第二金属薄膜上;以及多数个P型半导体及多数个N型半导体,交互排列且固定在该第一铜箔层及该第二铜箔层之间,其中,该第一氮化铝层及该第二氮化铝层对应位于该P型半导体及该N型半导体的相对侧;第一传导模块,包含贴接在该致冷芯片的冷端面上的第一基座、固定在该第一基座的两个以上第一鳍片、及装置在该第一鳍片上的第一风扇;以及第二传导模块,包含贴接在该致冷芯片的热端面上的一第二基座、固定在该第二基座的两个以上超导管、套接在该超导管上的两个以上第二鳍片、及装置在该第二鳍片上的第二风扇。 |
地址 |
中国台湾新北市新庄区五权一路5号8楼之8 |