| 发明名称 | 具有功率晶体管和高电压器件的半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有功率晶体管和高电压器件的半导体装置。一种半导体装置包括半导体主体和功率晶体管，该功率晶体管包括设置在半导体主体中的源极区、漏极区、主体区和漂移区，被设置成邻近主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极。该半导体装置进一步包括高电压器件，该高电压器件设置在处于半导体主体中的井状电介质结构内并且包括另外的漂移区。 | ||
| 申请公布号 | CN103367361A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201310099109.0 | 申请日期 | 2013.03.26 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | F.希尔勒;A.毛德;U.瓦尔;J.魏尔斯 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H02M3/155(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;卢江 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：半导体主体；功率晶体管，其包括设置在半导体主体中的源极区、漏极区、主体区和漂移区，被设置成邻近主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极；以及高电压器件，其设置在处于半导体主体中的井状电介质结构内并且包括另外的漂移区。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||