非挥发性记忆体的制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，系在记忆胞区的基底上形成多数个第一记忆胞，包括第一复合层、第一闸极与顶盖层，且相邻二个第一记忆胞之间具有一个间隙。然后，于这些间隙中的形成多数个闸极，这些闸极与第二复合层构成第二记忆胞，且这些第二记忆胞与这些第一记忆胞构成一个记忆胞行。且在此一制程中，同时形成周边电路区的闸极结构。其中，这些间隙中的多数个闸极与周边电路区的闸极系由同一导体层所形成。