| 发明名称 | 鳍式场效应管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有多个鳍部；形成位于所述鳍部的顶部和侧壁的介质层；采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成金属层，所述金属层位于所述介质层表面、且填充满相邻鳍部间的区域。本发明实施例形成的鳍式场效应管的金属层的质量好，较好的填充于相邻鳍部间的区域，无孔洞等缺陷，形成的鳍式场效应管的性能好。 | ||
| 申请公布号 | CN103367161A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201210101579.1 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有多个鳍部；形成位于所述鳍部的顶部和侧壁的介质层；采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成金属层，所述金属层位于所述介质层表面、且填充满相邻鳍部间的区域。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||