| 发明名称 | 一种IIIA-VA族半导体单晶衬底及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种IIIA-VA族半导体单晶衬底，其具有下列的两种性质之一或同时具有下列两种性质：从晶片表面到内部10微米的深度范围内的氧含量在1.6×1016--5.6×1017原子/cm3范围；以及，电子迁移率为4800cm2/V.S-5850cm2/V.S。还提供一种制备此类IIIA-VA族半导体单晶衬底的方法，包括将待处理的单晶衬底放入一个容器内；密封容器，待处理的单晶衬底在晶体熔点-240至晶体熔点-30摄氏度的温度范围内保持5-20小时；优选地，对于砷化镓单晶在1000-1200摄氏度保持5-20小时，对于磷化铟单晶，在830-1028摄氏度保持5-20小时。 | ||
| 申请公布号 | CN103361735A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201210082523.6 | 申请日期 | 2012.03.26 |
| 申请人 | 北京通美晶体技术有限公司 | 发明人 | 莫里斯·杨;戴维斯·张;刘文森;王元立 |
| 分类号 | C30B33/02(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 钟守期;唐铁军 |
| 主权项 | 一种IIIA‑VA族半导体单晶衬底，其具有下列的两种性质之一或同时具有下列两种性质：从晶片表面到内部10微米的深度范围内的氧含量在1.6×1016‑‑5.6×1017原子/cm3范围；和电子迁移率为4800cm2/V.S‑5850cm2/V.S，优选4900‑5800cm2/V.S。。 | ||
| 地址 | 101113 北京市通州区工业开发区东二街四号 | ||