| 发明名称 | NMOS晶体管及MOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种NMOS晶体管及MOS晶体管的形成方法，其中所述NMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有NMOS晶体管；在所述半导体衬底上形成拉应力的氮化硅层，所述拉应力的氮化硅层覆盖所述NMOS晶体管的栅极侧壁和顶部表面；在拉应力的氮化硅层上形成保护层，所述保护层露出NMOS晶体管栅极的顶部表面的拉应力的氮化硅层；对所述NMOS晶体管的栅极的顶部表面的拉应力的氮化硅层进行等离子体处理，提高NMOS晶体管的栅极的顶部表面的拉应力的氮化硅层的杨氏模量；去除保护层。本发明实施例提高了拉应力层中的应力。 | ||
| 申请公布号 | CN103367155A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201210093395.5 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 鲍宇 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有NMOS晶体管；在所述半导体衬底上形成拉应力的氮化硅层，所述拉应力的氮化硅层覆盖所述NMOS晶体管的栅极侧壁和顶部表面；在拉应力的氮化硅层上形成保护层，所述保护层露出NMOS晶体管栅极的顶部表面的拉应力的氮化硅层；对所述NMOS晶体管的栅极的顶部表面的拉应力的氮化硅层进行等离子体处理，提高NMOS晶体管的栅极的顶部表面的拉应力的氮化硅层的杨氏模量；去除保护层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||