| 发明名称 | 包括其中具有一个或多个氮化硅夹层的氮化镓的半导体晶片 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体晶片，包括：衬底层；在其上具有一个或多个SiNx夹层的第一GaN层；并且其中在第一GaN层中至少一个SiNx夹层具有穿透所述SiNx夹层的一个或多个部分的GaN并且优选具有0.5至10nm的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN103348447A | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN201180065064.4 | 申请日期 | 2011.10.12 |
| 申请人 | 科林·汉弗莱斯;克利福德·麦卡利斯;门诺·卡珀斯;刘震宇;朱丹丹 | 发明人 | 科林·汉弗莱斯;克利福德·麦卡利斯;门诺·卡珀斯;刘震宇;朱丹丹 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;张英 |
| 主权项 | 一种半导体晶片，包括：衬底层；以及在其中具有一个或多个SiNx夹层的第一GaN层；并且其中，在所述第一GaN层中至少一个SiNx夹层具有穿透所述SiNx夹层的一个或多个部分的GaN，并且所述至少一个SiNx夹层优选具有0.5至10nm的厚度。 | ||
| 地址 | 英国剑桥郡 | ||