发明名称 一种FPGA片上低功耗系统
摘要 本发明公开一种FPGA片上低功耗系统,包括参考电压电路、上电复位模块、DLL电源模块、SRAM电源模块;所述参考电压电路提供1.2V和1.8V的双电压基准,上电复位模块包括一个在芯片电源上升到1.6V时发出上电复位的POR脉冲信号的上电复位电路,DLL电源模块包括一个为DLL延迟链提供2V电压的稳压器,所述SRAM电源模块从芯片电源VDD通过电压变换得到另一电压SRAMVDD,所述SRAMVDD电压高于电压VDD,电压SRAMVDD和电压VDD分别加在不同的SRAM单元上,SRAMVDD电压同时加在SRAM单元的PMOS晶体管的源端和PMOS晶体管的衬底上。本发明能降低FPGA芯片了芯片的动态开关功耗和短路功率,降低SRAM存储器的动态开关功耗和静态直流功率,提高FPGA芯片的安全性和工作的稳定性。
申请公布号 CN103346779A 申请公布日期 2013.10.09
申请号 CN201310258547.7 申请日期 2013.06.26
申请人 成都鸿芯纪元科技有限公司 发明人 何弢
分类号 H03K19/177(2006.01)I 主分类号 H03K19/177(2006.01)I
代理机构 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 代理人 李高峡;全学荣
主权项 一种FPGA片上低功耗系统,其特征在于:包括参考电压电路、上电复位模块、DLL电源模块、SRAM电源模块;所述参考电压电路提供1.2V和1.8V的双电压基准,所述上电复位模块包括一个在芯片电源上升到1.6V时发出上电复位的POR脉冲信号的上电复位电路,所述DLL电源模块包括一个为DLL延迟链提供2V电压的稳压器,所述SRAM电源模块从芯片电源VDD通过电压变换得到另一电压SRAMVDD,所述SRAMVDD电压高于电压VDD,电压SRAMVDD和电压VDD分别加在不同的SRAM单元上,SRAMVDD电压同时加在SRAM单元的PMOS晶体管的源端和PMOS晶体管的衬底上。
地址 610041 四川省成都市高新区天府大道北段1480号6幢102室