| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件和半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。 | ||
| 申请公布号 | CN102144342B | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN200980134707.9 | 申请日期 | 2009.09.03 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 神川刚;麦华路巴武吕;伊藤茂稔 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体发光器件，包括：n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)；氮化物半导体层(103，303，603，1203)，设置在所述n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上，在所述氮化物半导体层的相对表面上分别具有半极性平面；p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)，设置在所述氮化物半导体层(103，303，603，1203)上；以及有源层(105，305，605，1205)，设置在所述p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)上，其中所述氮化物半导体层(103，303，603，1203)设置在所述n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)与所述p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)之间，并与所述n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)和所述p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)接触。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||