| 发明名称 | 嵌入式锗硅结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种嵌入式锗硅结构的制造方法包括在FinFET结构上沉积一层氮化硅；涂布一层光刻胶，经过光刻刻蚀，刻穿多晶硅两侧的氮化硅；在露出的FinFET结构的单晶硅上制作出孔洞；在该孔洞上，利用外延法形成嵌入式锗硅结构；刻蚀去除多余的氮化硅。本发明提供的嵌入式锗硅结构的制造方法简单易行，与现有技术相比，不会改变Fin结构的形状，可以在Fin结构上形成均一的锗硅，且具备锗硅尺寸大小的可控性。 | ||
| 申请公布号 | CN103346086A | 申请公布日期 | 2013.10.09 |
| 申请号 | CN201310213628.5 | 申请日期 | 2013.05.31 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 丁弋;张明华;方精训;严均华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种嵌入式锗硅结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，在FinFET结构上沉积一层氮化硅；步骤S02，涂布一层光刻胶，经过光刻刻蚀，刻穿多晶硅两侧的氮化硅；步骤S03，在露出的FinFET结构的单晶硅上制作出孔洞；步骤S04，在该孔洞上，利用外延法形成嵌入式锗硅结构；步骤S05，刻蚀去除多余的氮化硅。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||