发明名称 |
一种聚乙撑二氧噻吩纳米管阵列及其制备方法和应用 |
摘要 |
本发明公开了一种聚乙撑二氧噻吩纳米管阵列及其制备方法和应用,该阵列为具有整齐有序且按阵列排列的纳米管的聚乙撑二氧噻吩,所述纳米管至少一端通透,所述阵列不溶于水、透明、导电。制备方法依次包括以下步骤:二次阳极氧化得到独立分离的TiO2纳米管阵列;以该独立分离的TiO2纳米管阵列为阳极,铂丝为阴极,进行恒电位或恒电流电聚合,得到选择性在TiO2纳米管阵列管与管空间填充聚乙撑二氧噻吩的复合材料,用氢氟酸去除TiO2纳米管阵列,得到具有整齐有序且按阵列排列的纳米管的聚乙撑二氧噻吩。该复合材料可以作为透明电极材料,在有机薄膜太阳能电池、抗静电涂层、有机光电子、电致变色、固体电解电容器领域的应用。 |
申请公布号 |
CN103343377A |
申请公布日期 |
2013.10.09 |
申请号 |
CN201310287514.5 |
申请日期 |
2013.07.10 |
申请人 |
四川农业大学 |
发明人 |
张延宗;母康生;刘燕;钟建丹;杨刚;沈飞;邓仕槐;王莉淋;肖鸿;彭宏 |
分类号 |
C25D13/08(2006.01)I;C25D11/26(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)N |
主分类号 |
C25D13/08(2006.01)I |
代理机构 |
成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 |
代理人 |
管高峰;吴彦峰 |
主权项 |
一种聚乙撑二氧噻吩纳米管阵列,其特征在于:该阵列为具有整齐有序且按阵列排列的纳米管的聚乙撑二氧噻吩,所述纳米管至少一端通透,所述阵列不溶于水、透明、导电。 |
地址 |
625014 四川省成都市温江区惠民路211号 |