发明名称 配线板、半导体装置及其制造方法
摘要 本发明公开了一种半导体装置,其包括具有有源元件区域(1a)的半导体元件(1),形成于半导体元件主表面上的多个元件电极(2),通过结合构件(8、9)连接至一个或多个元件电极上的外部端子(6、7),形成于半导体元件主表面上的一个或多个第一散热突起(4),覆盖半导体元件的主表面和第一散热突起的绝缘树脂层(10),以及散热介质(11),其接触绝缘树脂层的与接触第一散热突起的表面的一侧相反的一侧。有源元件区域的至少一部分被包含在第一散热突起底表面下面的区域内,并且在有源元件区域内第一散热突起没有被结合至外部端子。第一散热突起的导热率大于绝缘树脂层的导热率,并且绝缘树脂层从第一散热突起的表面至散热介质的厚度小于绝缘树脂层从半导体元件的主表面至散热介质的厚度。因此,提高了热从被安装的半导体元件的有源元件区域至散热介质的散逸速度。
申请公布号 CN102171816B 申请公布日期 2013.09.25
申请号 CN200980139213.X 申请日期 2009.08.05
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 下石坂望;中村嘉文;长尾浩一
分类号 H01L23/34(2006.01)I 主分类号 H01L23/34(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 蔡胜利
主权项 一种半导体装置,包括:半导体元件,其具有有源元件区域;多个元件电极,它们被形成于所述半导体元件的主表面上;外部端子,其被经由连接构件连接至一个或多个所述元件电极上;一个或多个第一散热突起,它们被形成在所述半导体元件的主表面上;绝缘树脂层,其覆盖所述半导体元件的主表面和所述第一散热突起;以及散热介质,其接触所述绝缘树脂层的与接触第一散热突起前表面的一侧相反的一侧上的表面;其中,所述有源元件区域的至少一部分被包括在所述第一散热突起底表面下面的区域中;在所述有源元件区域内,所述第一散热突起没有被连接至所述外部端子;所述第一散热突起的导热率大于所述绝缘树脂层的导热率;并且所述绝缘树脂层从所述第一散热突起的前表面至所述散热介质的厚度小于所述绝缘树脂层从所述半导体元件的主表面至所述散热介质的厚度,并且其中,所述散热介质是配线板;所述半导体元件被倒装在所述配线板上;所述外部端子被由形成于所述配线板上的导体配线的一部分形成;所述第一散热突起被形成为从所述有源元件区域内部上方延伸至其外面,并且在所述有源元件区域外面被连接至所述外部端子;并且所述导体配线被形成为从与所述第一散热突起对置的区域经由所述半导体元件的端部部分延伸至没有倒装半导体元件的区域。
地址 日本大阪府
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