发明名称 |
气体喷淋头以及气相沉积反应腔 |
摘要 |
本发明涉及一种应用于III-V族化合物材料沉积反应腔的气体喷淋头,所述反应腔包括气体反应区域,所述气体喷淋头邻近所述反应区域设置,所述气体喷淋头用于向所述反应区域输运反应气体,所述气体喷淋头包括III族源气体腔和V族源气体腔,所述V族源气体腔设置于所述反应区域的一侧,所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧。本发明还提供了一种气相沉积反应腔,所述气相沉积反应腔包括反应腔和上述的气体喷淋头。采用本发明的所述气体喷淋头可以提高V族源气体的利用率;并且,可以防止III族源气体过快分解,从而提高沉积效率;此外,所述气体喷淋头没有设置其它冷却腔,简化了气体喷淋头的结构。 |
申请公布号 |
CN103320770A |
申请公布日期 |
2013.09.25 |
申请号 |
CN201310251086.0 |
申请日期 |
2013.06.21 |
申请人 |
光垒光电科技(上海)有限公司 |
发明人 |
梁秉文 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种应用于III‑V族化合物材料沉积反应腔的气体喷淋头,所述反应腔包括气体反应区域,所述气体喷淋头邻近所述反应区域设置,所述气体喷淋头用于向所述反应区域输运反应气体,其特征在于:所述气体喷淋头包括III族源气体腔和V族源气体腔,所述V族源气体腔设置于所述反应区域的一侧,所述V族源气体腔与所述反应区域之间未设置冷却腔,所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧,所述III族源气体腔与所述V族源气体腔之间未设置冷却腔。 |
地址 |
200050 上海市长宁区延安西路889号1106B室 |