含氧半导体薄膜电晶体之制作方法及显示装置之制作方法

摘要

一种含氧半导体薄膜电晶体(oxide thin film transistor，OTFT)之制作方法，其系利用沈积制程形成薄膜电晶体之含氧半导体活性层，其中进行沈积制程时所用的气体之总流量大于100每分钟标准毫升，所用的电功率介于1.5千瓦至10千瓦。由此方法制作的含氧半导体薄膜电晶体具有低漏电、高电子移动性以及良好温度稳定性等优点。本发明还涉及一种显示装置之制作方法，能有效提升显示品质。