发明名称 |
一种射频匹配网络及其所应用的等离子体处理腔 |
摘要 |
本发明公开了一种射频匹配网络及应用该射频匹配网络的等离子体处理腔,通过采用本发明所述的射频匹配网络,只需调节其中可变电容的大小即可实现射频匹配网络在两种阻抗状态的即时切换,从而保证两射频偏置功率在射频偏置功率源不断开的前提下也能实现即时切换,满足等离子体处理腔的需要。 |
申请公布号 |
CN103311082A |
申请公布日期 |
2013.09.18 |
申请号 |
CN201210065406.9 |
申请日期 |
2012.03.13 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
梁洁;罗伟义;叶如彬;朱志明;倪图强 |
分类号 |
H01J37/30(2006.01)I;H01J37/305(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/30(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
王洁 |
主权项 |
一种射频匹配网络,用于将两个射频偏置功率可切换地施加于一个等离子体处理腔的电极上,其特征在于:所述的射频匹配网络包括一谐振电路,所述谐振电路包括一电容、一电感和一可变电容,调节可变电容大小,所述谐振电路可以在第一阻抗状态和第二阻抗状态之间切换,在第一阻抗状态,所述谐振电路对第二射频偏置功率处于高阻抗状态,对第一射频偏置功率处于低阻抗状态;在第二阻抗状态,所述谐振电路对第一射频偏置功率处于高阻抗状态,对第二射频偏置功率处于低阻抗状态。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |