SOI衬底的形成方法

摘要

一种SOI衬底的形成方法，包括：提供第一基片和第二基片，在所述第一基片表面形成锗硅层；在所述锗硅层表面形成顶层硅层；在所述顶层硅层的第二表面形成第一绝缘层；利用离子注入工艺使得所述锗硅层或第一基片内形成离子注入层；将所述第二基片与所述第一绝缘层进行粘合；对所述第一基片、锗硅层进行第一退火处理，使得所述锗硅层或第一基片在离子注入层的位置发生开裂；除去所述顶层硅层表面的锗硅层和/或所述锗硅层表面的部分第一基片，形成SOI衬底。由于所述离子注入层的位置位于所述第一基片或锗硅层内，不位于所述顶层硅层内，所述第一基片或锗硅层开裂对所述顶层硅层的厚度不会产生影响，使得所述顶层硅层的厚度容易控制。

主权项

一种SOI衬底的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基片和第二基片，在所述第一基片表面形成锗硅层；在所述锗硅层表面形成顶层硅层，所述顶层硅层具有第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面，所述顶层硅层的第一表面与所述锗硅层相接触；在所述顶层硅层的第二表面形成第一绝缘层；利用离子注入工艺使得所述锗硅层或第一基片内形成离子注入层；将所述第二基片与所述第一绝缘层进行粘合；对所述第一基片、锗硅层进行第一退火处理，使得所述锗硅层或第一基片在离子注入层的位置发生开裂；除去所述顶层硅层表面的锗硅层和/或所述锗硅层表面的部分第一基片，直到暴露出所述顶层硅层的第一表面，形成SOI衬底。