半导体模块

摘要

本申请涉及一种半导体模块，具有衬底和电容器，其中，衬底具有绝缘材料体和布置在该绝缘材料体上的导电的结构化的传导层，其中，第一和第二半导体开关以及第一和第二二极管布置在结构化的传导层上并且与该结构化的传导层连接，其中，半导体模块具有膜复合物，其具有第一和第二金属膜层以及布置在第一与第二金属膜层之间的电绝缘膜层，其中，金属膜层中的至少一个是结构化的，其中，第一半导体开关和第二二极管与膜复合物连接，其中，电容器的第一电接口与膜复合物连接，而电容器的第二电接口与衬底的结构化的传导层导电地连接。本发明提供一种具有至少一个电容器和至少一个电桥电路的半导体模块，该半导体模块具有特别低电感的结构。

主权项

具有衬底（12）和电容器（2）的半导体模块，其中，所述衬底（12）具有绝缘材料体（14）和布置在所述绝缘材料体（14）上的导电的结构化的传导层（15），其中，第一和第二半导体开关（T1、T2）以及第一和第二二极管（D1、D2）布置在所述结构化的传导层（15）上并且与所述结构化的传导层（15）连接，其中，所述半导体模块（1）具有膜复合物（16），所述膜复合物具有第一和第二金属膜层（17、19）以及布置在所述第一金属膜层与第二金属膜层（17、19）之间电绝缘膜层（18），其中，所述金属膜层（17、19）中的至少一个是结构化的，其中，所述第一半导体开关（T1）和所述第二二极管（D2）与所述膜复合物（16）连接，其中，电容器（2）的第一电接口（26）与所述膜复合物（16）连接，而所述电容器（2）的第二电接口（23）与所述衬底（12）的结构化的传导层（15）导电地连接，其中，所述第一半导体开关（T1）的集电极（C）与所述第一二极管（D1）的阴极并且与所述电容器（2）的第二电接口（23）导电地连接，并且所述第一半导体开关（T1）的发射极（E）与所述第二半导体开关（T2）的集电极（C）、所述第一二极管（D1）的阳极和所述第二二极管（D2）的阴极导电地连接，并且所述第二半导体开关（T2）的发射极（E）与所述第二二极管（D2）的阳极并且与所述电容器（2）的第一电接口（26）导电地连接。