射频工艺中射频隔离度的表征方法

摘要

本发明公开了一种射频工艺中射频隔离度的表征方法，包括步骤：1)设计表征射频隔离度的测试图形时，设计两个分别位于SOC电路数字区域和射频区域的射频信号发送端口及接受端口；2)在射频信号发送端口周围设计一圈隔离环；3)在完成步骤1)和步骤2)设计后的测试图形基础上，再分别设计三组版图结构；4)进行S参数测试或者射频功率的输入功率输出功率测试，得到射频隔离度。本发明能精确地表征基于射频工艺的射频隔离度，而且有助于SOC电路有关衬底噪声串扰的优化设计。

主权项

一种射频工艺中射频隔离度的表征方法，包括步骤：（1）设计表征射频隔离度的测试图形时，设计两个分别位于系统级芯片电路数字区域和射频区域的射频信号发送端口及接受端口；（2）在射频信号发送端口周围设计一圈隔离环；（3）在完成步骤（1）和步骤（2）设计后的测试图形基础上，再分别设计三组版图结构，包括：用于射频测试的连线结构、以及用于射频去嵌的“开路”和“直通”结构；（4）进行S参数测试或者射频功率的输入功率输出功率测试，得到射频隔离度；所述步骤（1）中，射频信号发送端口及接受端口的边长为10μm～30μm；所述步骤（1）中，射频信号发送端口及接受端口在硅锗双极互补金属氧化物半导体工艺中，射频信号发送端口位于N型金属氧化物半导体场效应管的衬底引出端，而射频信号接受端口位于硅锗异质结双极晶体管的集电极引出端。