发明名称 一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜及其制备方法
摘要 一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜,为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜,由玻璃、聚酰亚胺和铜铟镓硒吸收层薄膜组成并形成叠层结构,其制备方法是:首先将聚酰亚胺胶涂覆于苏打玻璃表面,固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底,然后在其表面制备一层极薄的氟化钠预置层薄膜,然后在其上制备铜铟镓硒薄膜。本发明的优点是:该基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜附着性优秀,结晶质量好,晶粒大、缺陷少,可实现利用钢性衬底制备柔性太阳电池;其制备方法简单、易于实施,有利于大规模的推广应用。
申请公布号 CN103296091A 申请公布日期 2013.09.11
申请号 CN201310240977.6 申请日期 2013.06.18
申请人 天津理工大学 发明人 薛玉明;张嘉伟;乔在祥;李微;许楠;赵彦民;朱亚东;刘君;宋殿友;潘宏刚;李鹏海;冯少君;刘浩;尹富红
分类号 H01L31/02(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/02(2006.01)I
代理机构 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人 侯力
主权项 一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜,其特征在于:该掺钠铜铟镓硒薄膜为基于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜,由玻璃、聚酰亚胺和铜铟镓硒吸收层薄膜组成并形成叠层结构,其中衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成,苏打玻璃的厚度为1.5‑2mm,聚酰亚胺膜厚度为25‑30µm;铜铟镓硒吸收层薄膜的化学分子式为CuIn1‑xGaxSe2,式中x为0.25‑0.35,导电类型为p型,薄膜厚度为1.5‑2µm。
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