| 发明名称 | 氮化物系半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化物系半导体元件，其是具备生长面为m面的p型接触层(26)、和在p型接触层(26)的生长面上所设置的电极(30)的氮化物系半导体元件。就p型接触层(26)而言，其具有26nm以上、60nm以下的厚度，且是含有所述p型接触层的Mg浓度以上之浓度的氧的GaN系半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN103283043A | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201280002602.X | 申请日期 | 2012.04.02 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 横川俊哉;安杖尚美;井上彰;加藤亮 |
| 分类号 | H01L33/14(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种氮化物系半导体元件，具备：生长面为m面的p型接触层、和在所述p型接触层的所述生长面上所设置的电极，其中，所述p型接触层具有26nm以上、60nm以下的厚度，且是含有所述p型接触层的Mg浓度以上之浓度的氧的GaN系半导体层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||