一种激光热退火方法

摘要

本发明涉及一种激光热退火方法。包括下列步骤：a.对所述半导体晶片执行第一激光热退火工艺；b.将所述半导体晶片绕其中心旋转一角度；c.对所述半导体晶片执行第二激光热退火工艺。由于本发明的激光热退火的第二次行程扫掠之前调整晶片的角度，因此使激光热退火所导致的晶片翘曲问题得到了有效的解决。此外，本发明还通过在第二次行程的扫掠之前调整晶片角度的方法，同时使得相邻两行的激光束扫掠路径之间没有重叠，进而更加有效解决晶片的层叠错位问题。本发明主要操作简单，便于实现，减少晶片翘曲的效果明显。本发明可广泛应用于半导体晶片的制作工艺中。

主权项

一种半导体晶片的激光热退火方法，包括下列步骤：a．对所述半导体晶片执行第一激光热退火工艺，所述第一激光热退火工艺是通过激光束扫掠所述半导体晶片的表面而进行的；在所述步骤a之后，将激光束沿平行于所述半导体晶片表面的方向移动一定的距离；b．将所述半导体晶片绕其中心旋转一角度；c．对所述半导体晶片执行第二激光热退火工艺。