| 发明名称 | 一种圆片级高Q值硅基电感结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种圆片级高Q值硅基电感结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基体（1）、有机绝缘层（4）和通过有机绝缘层（4）置于硅基体（1）上方的电感线圈（6），硅基体（1）与有机绝缘层（4）相连接的表面沿电感线圈（6）内径方向设置凹槽（11），凹槽（11）通过内填的有机绝缘物（3）与有机绝缘层（4）连接，硅基体（1）和有机绝缘层（4）之间设置氧化层（2），有机绝缘层（4）上溅射或沉积电镀种子层（5），电感线圈（6）通过种子层（5）固定于有机绝缘层（4）上，电感线圈（6）的间隙设置保护层（7）。本实用新型通过在硅基体内的凹槽内填充有机绝缘物，大幅度降低了电感的涡流损耗，从而提高了电感的Q值。 | ||
| 申请公布号 | CN203179874U | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201320165564.1 | 申请日期 | 2013.04.07 |
| 申请人 | 江阴长电先进封装有限公司 | 发明人 | 卞新海;郭洪岩;张黎;陈锦辉;赖志明 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 彭英 |
| 主权项 | 一种圆片级高Q值硅基电感结构，包括硅基体（1）、有机绝缘层（4）和通过有机绝缘层（4）置于硅基体（1）上方的电感线圈（6），所述有机绝缘层（4）是多层，其特征在于：所述硅基体（1）与有机绝缘层（4）相连接的表面沿电感线圈（6）内径方向设置凹槽（11），所述凹槽（11）通过内填的有机绝缘物（3）与有机绝缘层（4）连接。 | ||
| 地址 | 214429 江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区（澄江东路99号） | ||