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发明名称
半导体装置、形成其之方法以及改良其热耗散之方法
摘要
本发明系关于一种半导体装置,其形成有降低该半导体装置之热电阻的形状。
申请公布号
TWI407495
申请公布日期
2013.09.01
申请号
TW094135400
申请日期
2005.10.11
申请人
半导体组件工业公司 美国
发明人
那拉扬 拉杰;罗杰P 史都
分类号
H01L21/22;H01L21/336;H01L21/02
主分类号
H01L21/22
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
美国
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