发明名称 半导体装置、形成其之方法以及改良其热耗散之方法
摘要 本发明系关于一种半导体装置,其形成有降低该半导体装置之热电阻的形状。
申请公布号 TWI407495 申请公布日期 2013.09.01
申请号 TW094135400 申请日期 2005.10.11
申请人 半导体组件工业公司 美国 发明人 那拉扬 拉杰;罗杰P 史都
分类号 H01L21/22;H01L21/336;H01L21/02 主分类号 H01L21/22
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国