铜互连结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种铜互连结构及其制造方法，在低K介质层表面和铜互连线表面沉积先沉积一层Si-C-B掩膜层，如此不会产生能够影响扩散活化能的物质，在此基础上进一步形成SiCN作为铜隔离层，能够确保不受铜原子的影响，避免了氮化铜(CuNx)的形成，减少了突起缺陷的数量，从而提高了良率。

主权项

一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有低K介质层及位于所述低K介质层中的铜互连线；形成Si‑C‑B掩膜层，所述Si‑C‑B掩膜层覆盖所述低K介质层及铜互连线；在所述Si‑C‑B掩膜层上形成铜隔离层。