| 发明名称 | 薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种薄膜晶体管，其包括栅极、半导体层、绝缘层、源极、漏极以及电流抑制层。绝缘层配置于栅极与半导体层之间。源极连接至半导体层。漏极连接至半导体层，其中源极与漏极彼此分离配置。电流抑制层具有第一部分与第二部分，其中第一部分配置于半导体层与至少部分源极之间，且第二部分配置于半导体层与至少部分漏极之间。 | ||
| 申请公布号 | CN103258856A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201210116344.X | 申请日期 | 2012.04.17 |
| 申请人 | 元太科技工业股份有限公司 | 发明人 | 王裕霖;叶佳俊;蔡学宏;辛哲宏 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于其包括：栅极；半导体层；绝缘层，配置于该栅极与该半导体层之间；源极，连接至该半导体层；漏极，连接至该半导体层，其中该源极与该漏极彼此分离配置；以及电流抑制层，具有第一部分与第二部分，其中该第一部分配置于该半导体层与至少部分该源极之间，且该第二部分配置于该半导体层与至少部分该漏极之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市科学工业园区力行一路3号 | ||