发明名称 |
在涉及歧化操作的基本闭环方法中制备多晶硅 |
摘要 |
本发明公开了在基本闭环方法和系统中制备多晶硅。该方法和系统一般性地涉及三氯硅烷的歧化以产生硅烷或二氯硅烷,和硅烷或二氯硅烷的热分解以产生多晶硅。 |
申请公布号 |
CN103260716A |
申请公布日期 |
2013.08.21 |
申请号 |
CN201180061070.2 |
申请日期 |
2011.12.16 |
申请人 |
MEMC电子材料有限公司 |
发明人 |
P·古普塔;Y·黄;S·布萨拉普 |
分类号 |
B01D3/00(2006.01)I;B01J8/18(2006.01)I;B01J19/18(2006.01)I;C01B33/02(2006.01)I;C01B33/023(2006.01)I;C01B33/029(2006.01)I;C01B33/107(2006.01)I |
主分类号 |
B01D3/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
张蓉珺;林柏楠 |
主权项 |
制备多晶硅的基本闭环方法,所述方法包括:将三氯硅烷引入歧化系统中以产生四氯化硅,以及硅烷和二氯硅烷中的至少一种;将由歧化系统产生的硅烷或二氯硅烷引入流化床反应器中以产生多晶硅和包含氢气和未反应硅烷或二氯硅烷的流出气体;将一定量的由歧化系统产生的四氯化硅和一定量的来自流出气体的氢气引入氢化反应器中以产生三氯硅烷和氯化氢;将一定量的由氢化反应器产生的氯化氢,以及硅引入氯化反应器中以产生包含三氯硅烷和四氯化硅的氯化气体;和将由氯化反应器产生的三氯硅烷引入歧化系统中以产生四氯化硅,以及硅烷和二氯硅烷中的至少一种。 |
地址 |
美国密苏里州 |