发明名称 | 主动阵列基板的制造方法 | ||
摘要 | 本发明在此揭露一种制造主动阵列基板的方法。通过二道光罩的微影蚀刻制程可制作出主动阵列基板。第一道光罩的微影蚀刻制程可形成漏极、源极、数据线及/或数据线连接垫和图案化透明导电层等元件。第二道光罩的微影蚀刻制程可形成栅极、栅极线、栅绝缘层、通道层及/或栅极线连接垫等元件。 | ||
申请公布号 | CN103247572A | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
申请号 | CN201210459943.1 | 申请日期 | 2012.11.15 |
申请人 | 元太科技工业股份有限公司 | 发明人 | 唐文忠;舒芳安;蔡耀州;辛哲宏 |
分类号 | H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
主权项 | 一种制造主动阵列基板的方法,其特征在于,包含:依序形成一透明导电层以及一第一金属层覆盖一基材;形成具有一半色调部分的一第一图案化光阻层于该第一金属层上;移除露出部分的该第一金属层及其下方的该透明导电层,以形成一第一图案化金属层及一图案化透明导电层,并移除该半色调部分,以露出该第一图案化金属层的一部分;移除该第一图案化金属层的露出部分,并移除剩余的该第一图案化光阻层,而形成一中间结构;依序形成一半导体层、一绝缘层以及一第二金属覆盖该中间结构;形成一第二图案化光阻层于该第二金属层上;移除露出部分的该第二金属层及其下方的该绝缘层和该半导体层,以形成一第二图案化金属层、一图案化绝缘层以及一图案化半导体层构成的一堆叠结构;以及加热该第二图案化光阻层,使其流动而形成一保护层覆盖该堆叠结构。 | ||
地址 | 中国台湾中国台湾新竹市科学工业园区力行一路3号 |