多栅格曝光方法

摘要

本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法。一种示例性方法包括接收包括格上目标图案的集成电路(IC)布局。所述方法进一步包括接收多栅格结构。所述多栅格结构包括在第一方向上相互偏移一定偏移量的许多曝光栅格段。所述方法进一步包括实施多栅格曝光以将所述目标图案曝光在衬底上，从而在所述衬底上形成电路部件图案。实施多栅格曝光包括：在第二方向上扫描具有多栅格结构的衬底使得在所述第一方向上发生所曝光的目标图案的亚像素位移，以及使用增量时间(Δt)使得在所述第二方向上发生所曝光的目标图案的亚像素位移。本发明还公开了多栅格曝光方法。

主权项

一种方法，包括：接收包括栅格上的目标图案的集成电路(IC)布局；接收多栅格结构，所述多栅格结构包括在第一方向上相互偏移一定偏移量的第一曝光栅格段和第二曝光栅格段；以及实施多栅格曝光以将所述目标图案曝光到衬底上，从而在所述衬底上形成电路部件图案，其中实施所述多栅格曝光包括：在第二方向上横穿所述衬底的表面扫描所述第一曝光栅格段并在所述第一曝光栅格段的扫描期间将所述目标图案曝光在所述衬底上，所述第一方向与所述第二方向相互正交；和在所述第二方向上横穿所述衬底的表面扫描所述第二曝光栅格段并在所述第二曝光栅格段的扫描期间将所述目标图案曝光到所述衬底上，其中，实施在所述第二曝光栅格段的扫描期间将所述目标图案曝光在所述衬底上，使得在所述第一方向发生所曝光目标图案的亚像素位移，其中，在所述第二曝光栅格段的扫描期间将所述目标图案曝光在所述衬底上包括将所述曝光延迟增量时间(Δt)，使得在所述第二方向上发生所曝光目标图案的亚像素位移。