光电转换装置

摘要

本发明提供一种光电转换装置，在该光电转换装置中，光吸收层和电极层之间的密接性高且光电转换效率高。为了实现上述目的，光电转换装置具有第一层和设置于该第一层之上的第二层。在该光电转换装置中，第一层包含电极层，第二层包含具有I-III-VI族化合物半导体的光吸收层。该光吸收层包含第一区域和相比第一区域远离第一层的第二区域。第二区域中的晶粒的平均粒径比第一区域中的晶粒的平均粒径大。

主权项

一种光电转换装置，其特征在于，具有第一层和设置于该第一层之上的第二层，所述第一层包含电极层，所述第二层包含具有I‑III‑VI族化合物半导体的光吸收层，所述光吸收层包含位于所述第一层侧的第一区域和相比该第一区域远离所述第一层且位于与所述第一层相反的一侧的第二区域，所述第二区域中的晶粒的平均粒径比所述第一区域中的晶粒的平均粒径大，所述第一区域中的空隙率比所述第二区域中的空隙率大。