| 摘要 |
本发明揭示一种双闸半导体装置，其提供一高崩溃电压，从而允许对功率应用较有用的一较大输出电压偏移。该双闸半导体装置可视为一双闸装置，其包括一MOS闸极与一接面闸极，其中该接面闸极之偏压可能系该MOS闸极之闸极电压之一函数。该双闸半导体装置之崩溃电压系该MOS闸极与该接面闸极之崩溃电压之和。因为一个别接面闸极具有一本质高崩溃电压，故该双闸半导体装置之崩溃电压大于一个别MOS闸极之崩溃电压。比较知电晶体装置，除了在更高功率位准下的可操作性外，该双闸半导体装置还提供改良的RF能力。该双闸半导体装置还可在一更高空间密度组态下加以制造，使得以排除在该MOS闸极与该接面闸极之间的一共用植入。 |
