发光元件

摘要

本发明公开了一种利用基板转移技术所形成的发光元件、背光模块装置以及照明装置。该发光元件包含半导体层、欧姆接触层、沟道结构形成于半导体层之中，及至少一电极。此沟道结构电学连接上述的欧姆接触层与电极，使得电流可依序经由电极、沟道结构、欧姆接触层，传送到半导体层并驱动整体发光元件。透过此沟道结构的设计，可以获得一个具有良好欧姆接触与较佳发光效率的水平式或垂直式的发光二极管元件。

主权项

一种发光元件，包含：一半导体发光迭层，具有一p型半导体层（123）、一n型半导体层（121）及彼此相对的一第一侧与一第二侧；一n电极（18）及一p电极，位于该半导体发光迭层的该第一侧，该n电极（18）下方不存在该p型半导体层（123）；一p型沟道，贯穿该p型半导体层及该n型半导体层，并电学连接至该p电极；一阻隔沟道，介于该n电极及该p型沟道之间；以及一n型欧姆接触层，位于该半导体发光迭层的一个凹陷处，并朝远离该p电极的方向延伸。