| 摘要 |
Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Silizium mit einem Abschnitt mit gleich bleibendem Durchmesser, umfassend das Bereitstellen einer ersten Heizquelle, die Wärme zum Einkristall und zu einem an den Einkristall angrenzenden Bereich der Schmelze zuführt und die über der Schmelze angeordnet ist; das Bereitstellen einer zweiten Heizquelle, die um einen Tiegel herum angeordnet ist; das Ziehen des Einkristalls mit einer vorgegebenen Soll-Ziehgeschwindigkeit vp mit der Einheit [mm/min], wobei Vorgabekurven bezüglich der Soll-Ziehgeschwindigkeit, der Heizleitung der ersten Heizquelle und der Heizleistung der zweiten Heizquelle derart ausgewählt werden, dass bei einem störungsfreien Verlauf der Quotient v/G der Kristallisationsgeschwindigkeit v und des axialen Temperaturgradienten G einem kritischen Wert entspricht, bei dem weder Leerstellen noch Silizium-Zwischengitteratome im Überschuss gebildet werden; und das Regeln des Durchmessers des Einkristalls im Abschnitt mit gleich bleibendem Durchmesser auf einen vorgegebenen Soll-Durchmesser mittels Regelung der Heizleistung der ersten Heizquelle in der Weise, dass Durchmesserschwankungen mit einer Periodendauer T ausgeregelt werden, die nicht länger als (2·18 mm)/vp ist, wobei die Heizleistung der zweiten Heizquelle als Stellgröße einer nachgeschalteten Regelung zum Zurückführen von länger dauernden Abweichungen der Heizleistung der ersten Heizquelle von der Vorgabekurve herangezogen wird. |
